絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是近幾十年來出現的新器件，旨在推動電力電子技術的發展。是改善性能和節能指標的整個系統的首選。結合了高頻，高壓和大電流的優點，是電力電子技術第三次革命中最具代表性的產品。文重點介紹其結構，電纜工作機理，靜態特性，動態特性和主要參數，并在2000年初就成功開發了用于此類器件的基本IGBT。1980年代，經過數年的不斷改進，在高頻和大功率領域中已經成熟。
　　此，本文還介紹了IGBT的國內外發展情況，詳細介紹了IGBT的重要特性及其基本應用技術，并列舉了一些應用于該器件的基本電路。用電器，電焊機，電動機等絕緣柵雙極型晶體管是一種新型的功率半導體器件，具有以下特性：功率場效應晶體，高輸入阻抗和管速，飽和電壓雙極型晶體管達靈頓高，大電流和高背壓。征[2]。設備于1982年由RCA和GE在美國成功生產，并在1980年代后期由于美國IR，SGS和飛利浦，東芝，富士電機和日立公司的改進而商業化。

　　那時起，其應用技術變得越來越成熟，并在電力電子技術中發揮了重要作用。于功率MOSFET，它與功率MOSFET的不同之處在于，它具有一個額外的p 發射極區域，從該區域中可以去除IGBT的漏極（或集電極），因此IGBT優于MOSFET。PN結。
　　IGBT的柵極和源極與功率MOSFET的柵極和源極相同。
　　IGBT的結構可以得到等效電路，電纜因為非對稱IGBT增加的N 區靠近N區，它是N區，但是雜質濃度不同，因此兩種不同類型的IGBT的等效電路相同。們都由三個結組成，半導體類型的級別相同。于IGBT是一種以MOSFET為驅動組件，雙極晶體管為主要組件的復合器件，因此其導通和關斷不可避免地與MOSFET的導通和關斷相同，后者由柵極電壓控制。將正電壓施加到柵極時，在MOSFET中形成溝道，并將基極電流提供給雙極晶體管，從而激活IGBT晶體管。N漂移區的RMOD電阻。耐壓IGBT也具有低直流電壓特性。
　　向IGBT柵極施加負電壓時，MOSFET通道消失，PNP晶體管被禁用，而IGBT被禁用。以看出，IGBT的驅動原理與MOSFET的驅動原理基本相同。于等效雙極晶體管是IGBT的主要組件，因此IGBT具有很大的電流傳輸能力。IGBT的結構與功率MOSFET的結構非常相似，不同之處在于前者使用p 作為襯底，然后在頂部形成n 漂移層n，根據相似的過程在漂移層上制造功率。
　　IGBT可以通過非常高的輸入阻抗和很高的直接傳導電流密度進行電壓控制。外，已經發現IGBT的導通狀態壓降隨著溫度的升高而增加，這使得器件可以并聯連接并且在每個器件中具有良好的電流分布。置。IGBT于1980年代初成功開發，并且多年來在性能方面不斷提高。已被應用于高頻和大功率領域。結合了MOSFET電壓控制，低控制功率，易于并聯，高開關速度和高電流密度，高電流管理能力以及低晶體管飽和電壓特性。
　　極。晶體管具有高電流密度，高電流處理能力，高電流，高頻率和其他更高的性能[1-4]。IGBT主要用于逆變器，低噪聲電源，不間斷UPS電源和電機頻率控制。IBGT的應用范圍很廣，從變頻空調到靜音冰箱，洗衣機，電磁爐和微波爐。于機車的電力牽引系統來說太大了密不可分。IGBT還廣泛用于機載跟蹤系統，航母，雷達和其他軍事系統。前，國家IGBT產品依賴進口。IGBT國外產品已量產。
　　家IGBT仍處于發展階段。國外相比，IGBT制造技術至少比計劃落后十年，并且IGBT的位置非常緊迫。此，IBGT研究的發展對中國國民經濟和國防工業的發展具有重要意義[5]。
　　本文轉載自
　　電纜 http://www.sup95.com