隨著晶體管和集成電路尺寸和密度的減小，芯片級的功率密度和空間分布對熱管理提出了巨大挑戰。

　　墨烯作為新興的二維材料的代表，由于其優異的導熱性并可以從熱點重新橫向分配熱量，因此應在下一代電子設備中用作散熱材料。而，由于石墨烯的導電性，需要絕緣層例如二氧化硅將其與電路分離。究表明，絕緣層的厚度對施加在功率芯片表面的石墨烯的散熱性能有顯著影響。緣層越薄，局部熱點的散熱效果越好。過去的50年中，通信，汽車電子，消費電子，軍用電子和航空航天行業對高性能，小型化，多功能和低功耗的微電子產品提出了要求。本，工藝和設計方法的改進迫在眉睫。
　　子設備及其應用已成為增長最快的領域，其特征尺寸從微米到納米不斷減小。

　　外，許多新的嘗試正在進行中，例如多核體系結構，三維芯片堆疊等。是，這些技術發展和新興應用帶來了重大的熱管理問題，這些問題直接與應用限制和電子設備的整體可靠性有關。

　　年來，石墨烯因其極高的導熱系數（5300W / m·K）而被認為是最有希望的散熱材料。Gao等人使用化學氣相沉積（CVD）合成單層石墨烯：當熱通量密度為430 W / cm2時，石墨烯作為散熱層可以降低熱點溫度然而，石墨烯不僅是良好的導熱材料，而且具有良好的導電特性，因此需要諸如二氧化硅（SiO2）的絕緣材料來制造。

　　
　　些絕緣材料通常導熱性較差，絕緣層較厚，大大降低了石墨烯層的散熱效果。了研究絕緣層厚度對石墨烯散熱效果的影響，本文選擇了兩種不同的功率芯片測試結構，即石墨烯。為觀察到了功率芯片的散熱層和不同的測試結構，所以將其轉移到210nm和600nm厚的SiO2絕緣層的表面。變芯片中熱點的最高溫度，以研究石墨烯散熱的不同影響。了評估石墨烯作為散熱層的性能，組裝了硅熱點測試芯片。點由金屬電阻形成，鉑金屬氣相沉積在硅晶片的表面。于其電阻隨溫度線性變化，電纜因此可用于模擬每個充電功率中功率芯片的局部熱點。金屬層的表面上，通過濺射形成210nm和600nm厚的SiO 2絕緣層。文采用南京咸豐納米材料科技有限公司制備的多層石墨烯。擇并通過在25μm厚的銅箔上進行化學氣相沉積法合成。了研究石墨烯散熱層對熱點溫度的影響，必須將其從銅箔轉移到測試結構。常，將聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）層涂覆在石墨烯膜的表面上作為支撐層，并且通過濕法蝕刻或氣泡分離除去下面的銅箔。后，將PMMA /石墨烯放在熱的測試結構上，最后用熱的丙酮去除PMMA。過紅外攝像機在電路上加載相同的功率，可以看到樣品表面溫度的分布，如圖1所示。SiO2絕緣層的厚度為210 nm時，電纜無論熱點的最高溫度或熱點區域的大小如何，600 nm厚SiO2絕緣層的測試結構的散熱效果都是顯而易見的。過比較兩種不同的測試結構，分別在石墨烯轉移之前將210 nm和600 nm厚度的SiO2絕緣層噴涂到金屬電路上。
　　現絕緣層越薄，熱點的最高溫度越低，這表明石墨烯的散熱效果越好。
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